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Hangzhou Silan Microelectronics SGT50T65FD1PN
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | SGT50T65FD1PN |
| Código da Peça EBEE | E82761787 |
| Pacote | TO-3P-3 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO-3P-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
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5367 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2575 | $ 1.2575 |
| 10+ | $1.0638 | $ 10.6380 |
| 30+ | $0.8526 | $ 25.5780 |
| 90+ | $0.7320 | $ 65.8800 |
| 510+ | $0.6796 | $ 346.5960 |
| 1200+ | $0.6542 | $ 785.0400 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,IGBTs ,Single IGBTs | |
| Folha de Dados | Hangzhou Silan Microelectronics SGT50T65FD1PN | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tensão de Repartição do Emitor Colecionador (Vces) | 650V | |
| Voltagem de limiar de emissor de porta-emissor (Vge(th) ?Ic) | 5V | |
| Pd - Power Dissipation | 235W | |
| IGBT Type | FS (Field Stop) | |
| Gate Charge(Qg) | 46nC@15V | |
| Td(off) | 130ns | |
| Td(on) | 45ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 42pF | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 33ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 3.8mJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 1mJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 4.5nF | |
| Pulsed Current- Forward(Ifm) | - | |
| Output Capacitance(Coes) | 100pF |
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| 1+ | $1.2575 | $ 1.2575 |
| 10+ | $1.0638 | $ 10.6380 |
| 30+ | $0.8526 | $ 25.5780 |
| 90+ | $0.7320 | $ 65.8800 |
| 510+ | $0.6796 | $ 346.5960 |
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