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STMicroelectronics STGB30M65DF2
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STGB30M65DF2 |
| Código da Peça EBEE | E82970045 |
| Pacote | D2PAK |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 258W 60A 650V FS(Field Stop) D2PAK IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.7284 | $ 1.7284 |
| 10+ | $1.4457 | $ 14.4570 |
| 30+ | $1.2899 | $ 38.6970 |
| 100+ | $1.1132 | $ 111.3200 |
| 500+ | $1.0345 | $ 517.2500 |
| 1000+ | $1.0008 | $ 1000.8000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,IGBT Transistores / Módulos | |
| Folha de Dados | STMicroelectronics STGB30M65DF2 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Tensão de Repartição do Emitor Colecionador (Vces) | 650V | |
| Voltagem de limiar de emissor de porta-emissor (Vge(th) ?Ic) | - | |
| Pd - Power Dissipation | 258W | |
| IGBT Type | FS (Field Stop) | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 140ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 960uJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 300uJ | |
| Input Capacitance(Cies) | - |
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