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STMicroelectronics STF35N65DM2
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STF35N65DM2 |
| Código da Peça EBEE | E85268673 |
| Pacote | TO-220FP |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 650V 32A 40W 0.11Ω@10V,16A 5V@250uA 1 N-channel TO-220FP MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $8.4397 | $ 8.4397 |
| 10+ | $7.2228 | $ 72.2280 |
| 50+ | $6.4806 | $ 324.0300 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | ST STF35N65DM2 | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | 110mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 2.5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 40W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 32A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.54nF | |
| Gate Charge(Qg) | 56.3nC@520V |
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