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STMicroelectronics STF18N60DM2
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STF18N60DM2 |
| Código da Peça EBEE | E85268682 |
| Pacote | TO-220FP |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 600V 12A 0.295Ω@10V,6A 25W 4V@250uA 1 N-channel TO-220FP MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0292 | $ 3.0292 |
| 10+ | $2.5793 | $ 25.7930 |
| 50+ | $2.3133 | $ 115.6650 |
| 100+ | $2.0427 | $ 204.2700 |
| 500+ | $1.9175 | $ 958.7500 |
| 1000+ | $1.8618 | $ 1861.8000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | ST STF18N60DM2 | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | 295mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 1.33pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 25W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 12A | |
| Ciss-Input Capacitance | 800pF | |
| Gate Charge(Qg) | 20nC@480V |
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| 50+ | $2.3133 | $ 115.6650 |
| 100+ | $2.0427 | $ 204.2700 |
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