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STMicroelectronics STF10N60M2
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STF10N60M2 |
| Código da Peça EBEE | E8377949 |
| Pacote | TO-220FP |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 650V 7.5A 25W 0.6Ω@10V,3A 3V@250uA 1 N-channel TO-220AB-3 MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0927 | $ 1.0927 |
| 10+ | $0.9224 | $ 9.2240 |
| 50+ | $0.8388 | $ 41.9400 |
| 100+ | $0.7537 | $ 75.3700 |
| 500+ | $0.7039 | $ 351.9500 |
| 1000+ | $0.6782 | $ 678.2000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | ST STF10N60M2 | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 600mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 0.84pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 25W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7.5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 400pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 22pF | |
| Gate Charge(Qg) | 13.5nC@10V |
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