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STMicroelectronics STD8N60DM2
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STD8N60DM2 |
| Código da Peça EBEE | E8457504 |
| Pacote | DPAK |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 600V 8A 85W 550mΩ@10V,4A 3V@250uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7153 | $ 0.7153 |
| 10+ | $0.5981 | $ 5.9810 |
| 30+ | $0.5337 | $ 16.0110 |
| 100+ | $0.4608 | $ 46.0800 |
| 500+ | $0.4282 | $ 214.1000 |
| 1000+ | $0.4142 | $ 414.2000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | ST STD8N60DM2 | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | 550mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 0.89pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 85W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | - | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 8A | |
| Ciss-Input Capacitance | 449pF | |
| Gate Charge(Qg) | 13.5nC@480V |
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