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STMicroelectronics STD7NM60N
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STD7NM60N |
| Código da Peça EBEE | E8200450 |
| Pacote | TO-252(DPAK) |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 600V 5A 900mΩ@10V,2.5A 45W 4V@250uA 1 N-channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS |
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1799 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6237 | $ 0.6237 |
| 10+ | $0.5025 | $ 5.0250 |
| 30+ | $0.4419 | $ 13.2570 |
| 100+ | $0.3812 | $ 38.1200 |
| 500+ | $0.3446 | $ 172.3000 |
| 1000+ | $0.3270 | $ 327.0000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | ST STD7NM60N | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 900mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 45W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 363pF | |
| Gate Charge(Qg) | 14nC@10V |
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