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STMicroelectronics STD7N60M2
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STD7N60M2 |
| Código da Peça EBEE | E8222089 |
| Pacote | TO-252(DPAK) |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 600V 5A 60W 950mΩ@10V,2.5A 4V@250uA 1 N-channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2633 | $ 1.2633 |
| 10+ | $1.0371 | $ 10.3710 |
| 30+ | $0.9139 | $ 27.4170 |
| 100+ | $0.7736 | $ 77.3600 |
| 500+ | $0.7112 | $ 355.6000 |
| 1000+ | $0.6831 | $ 683.1000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | ST STD7N60M2 | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 950mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 60W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 271pF | |
| Gate Charge(Qg) | 8.8nC@10V |
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