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STMicroelectronics STD6N62K3
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STD6N62K3 |
| Código da Peça EBEE | E8500962 |
| Pacote | DPAK |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 620V 5.5A 950mΩ@10V,2.8A 90W 4.5V@50uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.8839 | $ 2.8839 |
| 10+ | $2.8343 | $ 28.3430 |
| 30+ | $2.8003 | $ 84.0090 |
| 100+ | $2.7678 | $ 276.7800 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | ST STD6N62K3 | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | 950mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 17pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 90W | |
| Drain to Source Voltage | 620V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5.5A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Gate Charge(Qg) | - |
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