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STMicroelectronics STD6N60M2
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STD6N60M2 |
| Código da Peça EBEE | E85268731 |
| Pacote | DPAK |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 600V 4.5A 60W 1.06Ω@10V,2.25A 2V@250uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
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8 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.7260 | $ 1.7260 |
| 10+ | $1.6822 | $ 16.8220 |
| 30+ | $1.6536 | $ 49.6080 |
| 100+ | $1.6249 | $ 162.4900 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | ST STD6N60M2 | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | 1.06Ω@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 700fF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 60W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 232pF | |
| Gate Charge(Qg) | 8.2nC@480V |
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