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STMicroelectronics STD65N55F3
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STD65N55F3 |
| Código da Peça EBEE | E85269570 |
| Pacote | DPAK |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 55V 80A 110W 8.5mΩ@10V,32A 4V@250uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.7474 | $ 1.7474 |
| 10+ | $1.7041 | $ 17.0410 |
| 30+ | $1.6762 | $ 50.2860 |
| 100+ | $1.6469 | $ 164.6900 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | ST STD65N55F3 | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | 8.5mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 25pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 110W | |
| Drain to Source Voltage | 55V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 80A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.2nF | |
| Gate Charge(Qg) | 45nC@27V |
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