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STMicroelectronics STD4N80K5
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STD4N80K5 |
| Código da Peça EBEE | E8472540 |
| Pacote | TO-252(DPAK) |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 800V 3A 2.5Ω@10V,1.5A 60W 4V@100uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8697 | $ 0.8697 |
| 10+ | $0.8019 | $ 8.0190 |
| 30+ | $0.7590 | $ 22.7700 |
| 100+ | $0.7151 | $ 71.5100 |
| 500+ | $0.6952 | $ 347.6000 |
| 1000+ | $0.6872 | $ 687.2000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | ST STD4N80K5 | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | 2.5Ω@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 0.5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 60W | |
| Drain to Source Voltage | 800V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3A | |
| Ciss-Input Capacitance | 175pF | |
| Gate Charge(Qg) | 10.5nC@640V |
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