| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STD4LN80K5 |
| Código da Peça EBEE | E8500957 |
| Pacote | DPAK |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 800V 3A 2.6Ω@10V,1A 60W 4V@100uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2426 | $ 1.2426 |
| 10+ | $1.2142 | $ 12.1420 |
| 30+ | $1.1963 | $ 35.8890 |
| 100+ | $1.1786 | $ 117.8600 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | ST STD4LN80K5 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo de tipo | 1 N-channel | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 800V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 3A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 2.6Ω@10V,1A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 60W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 4V@100uA | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 0.3pF@100V | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 122pF@100V | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 3.7nC@640V |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2426 | $ 1.2426 |
| 10+ | $1.2142 | $ 12.1420 |
| 30+ | $1.1963 | $ 35.8890 |
| 100+ | $1.1786 | $ 117.8600 |
