| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STD40NF10 |
| Código da Peça EBEE | E8500956 |
| Pacote | DPAK |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 100V 50A 28mΩ@10V,25A 125W 2V@250uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3169 | $ 1.3169 |
| 10+ | $1.0838 | $ 10.8380 |
| 30+ | $0.9572 | $ 28.7160 |
| 100+ | $0.8121 | $ 81.2100 |
| 500+ | $0.7472 | $ 373.6000 |
| 1000+ | $0.7194 | $ 719.4000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | ST STD40NF10 | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | 28mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 83.7pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 125W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | - | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 50A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.18nF | |
| Gate Charge(Qg) | - |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3169 | $ 1.3169 |
| 10+ | $1.0838 | $ 10.8380 |
| 30+ | $0.9572 | $ 28.7160 |
| 100+ | $0.8121 | $ 81.2100 |
| 500+ | $0.7472 | $ 373.6000 |
| 1000+ | $0.7194 | $ 719.4000 |
