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STMicroelectronics STD35NF06T4
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STD35NF06T4 |
| Código da Peça EBEE | E8435949 |
| Pacote | DPAK |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 60V 35A 80W 0.02Ω@10V,17.5A 4V@250uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0145 | $ 1.0145 |
| 10+ | $0.8477 | $ 8.4770 |
| 30+ | $0.7559 | $ 22.6770 |
| 100+ | $0.6534 | $ 65.3400 |
| 500+ | $0.6075 | $ 303.7500 |
| 1000+ | $0.5876 | $ 587.6000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | ST STD35NF06T4 | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | 20mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 105pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 80W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 35A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.3nF | |
| Gate Charge(Qg) | 60nC@10V |
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