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STMicroelectronics STD1HN60K3
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STD1HN60K3 |
| Código da Peça EBEE | E8500953 |
| Pacote | DPAK |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 600V 1.2A 6.7Ω@10V,600mA 27W 4.5V@50uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2104 | $ 1.2104 |
| 10+ | $1.1810 | $ 11.8100 |
| 30+ | $1.1610 | $ 34.8300 |
| 100+ | $1.1424 | $ 114.2400 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | ST STD1HN60K3 | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | 6.7Ω@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 27W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 1.2A | |
| Ciss-Input Capacitance | 140pF | |
| Gate Charge(Qg) | 9.5nC@10V |
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