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STMicroelectronics STD13N65M2
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STD13N65M2 |
| Código da Peça EBEE | E82970253 |
| Pacote | DPAK |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 650V 10A 430mΩ@10V,5A 110W 4V@250uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1598 | $ 1.1598 |
| 10+ | $1.1325 | $ 11.3250 |
| 30+ | $1.1148 | $ 33.4440 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | ST STD13N65M2 | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 430mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 1.1pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 110W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 590pF | |
| Gate Charge(Qg) | 17nC@10V |
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