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STMicroelectronics STD12N65M2
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STD12N65M2 |
| Código da Peça EBEE | E8500948 |
| Pacote | DPAK |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 650V 8A 0.5Ω@10V,4A 85W 2V@250uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3944 | $ 1.3944 |
| 10+ | $1.3618 | $ 13.6180 |
| 30+ | $1.3401 | $ 40.2030 |
| 100+ | $1.3185 | $ 131.8500 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | ST STD12N65M2 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo de tipo | 1 N-channel | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 650V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 8A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 0.5Ω@10V,4A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 85W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 2V@250uA | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 1.1pF@100V | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 535pF@100V | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 16.5nC@10V |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3944 | $ 1.3944 |
| 10+ | $1.3618 | $ 13.6180 |
| 30+ | $1.3401 | $ 40.2030 |
| 100+ | $1.3185 | $ 131.8500 |
