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STMicroelectronics STD12N60M6
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STD12N60M6 |
| Código da Peça EBEE | E85268757 |
| Pacote | DPAK |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 600V 9A 450mΩ@10V,4.5A 96W 4V@250uA DPAK MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.2716 | $ 2.2716 |
| 10+ | $2.2205 | $ 22.2050 |
| 30+ | $2.1881 | $ 65.6430 |
| 100+ | $1.9283 | $ 192.8300 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | ST STD12N60M6 | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | 450mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 4.5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 96W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 9A | |
| Ciss-Input Capacitance | 452pF | |
| Gate Charge(Qg) | 12.3nC@480V |
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