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STMicroelectronics STD12N60DM2AG


Fabricante
Código da Peça do Fabricante
STD12N60DM2AG
Código da Peça EBEE
E8495234
Pacote
TO-252
Número do Cliente
Folha de Dados
Modelos EDA
ECCN
EAR99
Descrição
650V 10A 430mΩ@10V,5A 110W 3V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS
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Qualidade
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
Qtd.Preço UnitárioPreço Ext.
1+$2.1797$ 2.1797
10+$1.8869$ 18.8690
30+$1.7041$ 51.1230
100+$1.5159$ 151.5900
500+$1.4307$ 715.3500
1000+$1.3952$ 1395.2000
TipoDescrição
Selecionar Tudo
CategoriaDiscrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs
Folha de DadosST STD12N60DM2AG
RoHS
Temperatura de funcionamento-55℃~+150℃
Tipo de tipo1 N-channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)650V
Corrente contínua de drenagem (Id)10A
Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id)430mΩ@10V,5A
Dissipação de potência (Pd)110W
Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id)3V@250uA
Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds)3.7pF@100V
Capacitância de entrada (Ciss-Vds)614pF@100V
Carga total do portão (Qg-Vgs)-

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