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STMicroelectronics STD11N65M5
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STD11N65M5 |
| Código da Peça EBEE | E8495233 |
| Pacote | TO-252(DPAK) |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 650V 9A 25W 0.48Ω@10V,4.5A 3V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6497 | $ 0.6497 |
| 10+ | $0.5555 | $ 5.5550 |
| 30+ | $0.4963 | $ 14.8890 |
| 100+ | $0.4355 | $ 43.5500 |
| 500+ | $0.4085 | $ 204.2500 |
| 1000+ | $0.3967 | $ 396.7000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | ST STD11N65M5 | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | 480mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 2.5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 25W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 9A | |
| Ciss-Input Capacitance | 644pF | |
| Gate Charge(Qg) | 17nC@10V |
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