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STMicroelectronics STD10NM60N
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STD10NM60N |
| Código da Peça EBEE | E842088 |
| Pacote | TO-252(DPAK) |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 650V 10A 0.55Ω@10V,4A 70W 2V@250uA 1 N-channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9837 | $ 0.9837 |
| 10+ | $0.7882 | $ 7.8820 |
| 30+ | $0.6905 | $ 20.7150 |
| 100+ | $0.5928 | $ 59.2800 |
| 500+ | $0.5351 | $ 267.5500 |
| 1000+ | $0.5047 | $ 504.7000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | ST STD10NM60N | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 550mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 1.2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 70W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 540pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 44pF | |
| Gate Charge(Qg) | 19nC@10V |
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