| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STD10N60M6 |
| Código da Peça EBEE | E83277921 |
| Pacote | DPAK(TO-252) |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 650V 6.4A 520mΩ@10V,3.2A 60W 4.75V@250uA 1 N-channel DPAK(TO-252) MOSFETs ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.4143 | $ 1.4143 |
| 200+ | $0.5483 | $ 109.6600 |
| 500+ | $0.5289 | $ 264.4500 |
| 1000+ | $0.5199 | $ 519.9000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | ST STD10N60M6 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo de tipo | 1 N-channel | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 650V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 6.4A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 520mΩ@10V,3.2A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 60W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 4.75V@250uA | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 3.88pF@100V | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 338pF@100V | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 8.8nC@010V |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.4143 | $ 1.4143 |
| 200+ | $0.5483 | $ 109.6600 |
| 500+ | $0.5289 | $ 264.4500 |
| 1000+ | $0.5199 | $ 519.9000 |
