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STMicroelectronics STD105N10F7AG
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STD105N10F7AG |
| Código da Peça EBEE | E82969853 |
| Pacote | DPAK |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 100V 80A 120W 6.8mΩ@10V,40A 2.5V@250uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0059 | $ 3.0059 |
| 10+ | $2.5521 | $ 25.5210 |
| 30+ | $2.2673 | $ 68.0190 |
| 100+ | $1.9763 | $ 197.6300 |
| 500+ | $1.8449 | $ 922.4500 |
| 1000+ | $1.7870 | $ 1787.0000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | ST STD105N10F7AG | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 8mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 36pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 120W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 80A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.369nF | |
| Gate Charge(Qg) | - |
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