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STMicroelectronics STD100N10F7
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STD100N10F7 |
| Código da Peça EBEE | E8457507 |
| Pacote | DPAK |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 100V 80A 120W 8mΩ@10V,40A 4.5V@250uA 1 N-Channel DPAK MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7377 | $ 0.7377 |
| 10+ | $0.6629 | $ 6.6290 |
| 30+ | $0.6207 | $ 18.6210 |
| 100+ | $0.5755 | $ 57.5500 |
| 500+ | $0.5537 | $ 276.8500 |
| 1000+ | $0.5443 | $ 544.3000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | STMicroelectronics STD100N10F7 | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | - | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 120W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 80A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.369nF | |
| Gate Charge(Qg) | 61nC@10V |
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