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STMicroelectronics STB80NF10T4
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STB80NF10T4 |
| Código da Peça EBEE | E8457511 |
| Pacote | D2PAK |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 100V 80A 300W 0.015Ω@10V,40A 4V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.8946 | $ 1.8946 |
| 10+ | $1.7516 | $ 17.5160 |
| 30+ | $1.6632 | $ 49.8960 |
| 100+ | $1.5716 | $ 157.1600 |
| 500+ | $1.5298 | $ 764.9000 |
| 1000+ | $1.5121 | $ 1512.1000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | ST STB80NF10T4 | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | 15mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 175pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 300W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 80A | |
| Ciss-Input Capacitance | 5.5nF | |
| Gate Charge(Qg) | 182nC@50V |
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