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STMicroelectronics STB80N20M5
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STB80N20M5 |
| Código da Peça EBEE | E82971202 |
| Pacote | D2PAK |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 200V 61A 190W 23mΩ@10V,30.5A 5V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $6.2755 | $ 6.2755 |
| 10+ | $6.1287 | $ 61.2870 |
| 30+ | $6.0313 | $ 180.9390 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | ST STB80N20M5 | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 20mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 50pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 190W | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 65A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.08nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 290pF | |
| Gate Charge(Qg) | 108nC@10V |
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