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STMicroelectronics STB5N80K5
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STB5N80K5 |
| Código da Peça EBEE | E82969974 |
| Pacote | D2PAK |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 800V 4A 1.5Ω@10V,2A 60W 4V@100uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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3 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.4652 | $ 3.4652 |
| 10+ | $3.3761 | $ 33.7610 |
| 30+ | $3.3177 | $ 99.5310 |
| 100+ | $3.2578 | $ 325.7800 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | ST STB5N80K5 | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 1.75Ω@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 0.3pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 60W | |
| Drain to Source Voltage | 800V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 177pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 15pF | |
| Gate Charge(Qg) | 5nC@10V |
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| 1+ | $3.4652 | $ 3.4652 |
| 10+ | $3.3761 | $ 33.7610 |
| 30+ | $3.3177 | $ 99.5310 |
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