| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STB50N65DM6 |
| Código da Peça EBEE | E83277549 |
| Pacote | D2PAK(TO-263) |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 650V 33A 250W 91mΩ@10V,16.5A 3.25V@250uA 1 N-channel D2PAK(TO-263) MOSFETs ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $7.1616 | $ 7.1616 |
| 200+ | $2.7717 | $ 554.3400 |
| 500+ | $2.6741 | $ 1337.0500 |
| 1000+ | $2.6261 | $ 2626.1000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | ST STB50N65DM6 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo de tipo | 1 N-channel | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 650V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 33A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 91mΩ@10V,16.5A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 250W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 3.25V@250uA | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 3pF | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 2.3nF | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 52.5nC |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $7.1616 | $ 7.1616 |
| 200+ | $2.7717 | $ 554.3400 |
| 500+ | $2.6741 | $ 1337.0500 |
| 1000+ | $2.6261 | $ 2626.1000 |
