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STMicroelectronics STB50N65DM6


Fabricante
Código da Peça do Fabricante
STB50N65DM6
Código da Peça EBEE
E83277549
Pacote
D2PAK(TO-263)
Número do Cliente
Folha de Dados
Modelos EDA
ECCN
EAR99
Descrição
650V 33A 250W 91mΩ@10V,16.5A 3.25V@250uA 1 N-channel D2PAK(TO-263) MOSFETs ROHS
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Qualidade
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
Qtd.Preço UnitárioPreço Ext.
1+$7.1616$ 7.1616
200+$2.7717$ 554.3400
500+$2.6741$ 1337.0500
1000+$2.6261$ 2626.1000
TipoDescrição
Selecionar Tudo
CategoriaDiscrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs
Folha de DadosST STB50N65DM6
RoHS
Temperatura de funcionamento-55℃~+150℃
Tipo de tipo1 N-channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)650V
Corrente contínua de drenagem (Id)33A
Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id)91mΩ@10V,16.5A
Dissipação de potência (Pd)250W
Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id)3.25V@250uA
Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds)3pF
Capacitância de entrada (Ciss-Vds)2.3nF
Carga total do portão (Qg-Vgs)52.5nC

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