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STMicroelectronics STB40N60M2
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STB40N60M2 |
| Código da Peça EBEE | E83288186 |
| Pacote | D2PAK(TO-263) |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 650V 34A 0.078Ω@10V,17A 250W 2V@250uA 1 N-channel D2PAK(TO-263) MOSFETs ROHS |
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11 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.1198 | $ 5.1198 |
| 10+ | $4.9940 | $ 49.9400 |
| 30+ | $4.9101 | $ 147.3030 |
| 100+ | $4.8278 | $ 482.7800 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | ST STB40N60M2 | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 88mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 2.4pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 250W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 34A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.5nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 117pF | |
| Gate Charge(Qg) | 57nC@10V |
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