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STMicroelectronics STB35N60DM2
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STB35N60DM2 |
| Código da Peça EBEE | E8472576 |
| Pacote | D2PAK |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 600V 28A 0.094Ω@10V,14A 210W 3V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $6.1806 | $ 6.1806 |
| 10+ | $5.4954 | $ 54.9540 |
| 30+ | $5.0766 | $ 152.2980 |
| 100+ | $4.7251 | $ 472.5100 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | ST STB35N60DM2 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo de tipo | 1 N-channel | |
| Configuração | - | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 600V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 28A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 0.094Ω@10V,14A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 210W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 3V@250uA | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 2.8pF@100V | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 2.4nF@100V | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 54nC@10V |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $6.1806 | $ 6.1806 |
| 10+ | $5.4954 | $ 54.9540 |
| 30+ | $5.0766 | $ 152.2980 |
| 100+ | $4.7251 | $ 472.5100 |
