| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STB33N60DM6 |
| Código da Peça EBEE | E83277533 |
| Pacote | D2PAK(TO-263) |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 600V 25A 128mΩ@10V,12.5A 190W 4.75V@250uA 1 N-channel D2PAK(TO-263) MOSFETs ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.4982 | $ 4.4982 |
| 200+ | $1.7408 | $ 348.1600 |
| 500+ | $1.6804 | $ 840.2000 |
| 1000+ | $1.6503 | $ 1650.3000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | ST STB33N60DM6 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo de tipo | 1 N-channel | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 600V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 25A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 128mΩ@10V,12.5A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 190W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 4.75V@250uA | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 3pF | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 1.5nF@100V | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 35nC |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.4982 | $ 4.4982 |
| 200+ | $1.7408 | $ 348.1600 |
| 500+ | $1.6804 | $ 840.2000 |
| 1000+ | $1.6503 | $ 1650.3000 |
