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STMicroelectronics STB32NM50N
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STB32NM50N |
| Código da Peça EBEE | E82971411 |
| Pacote | D2PK |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 500V 22A 0.13Ω@10V,11A 190W 4V@250uA 1 N-channel D2PK MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.2613 | $ 5.2613 |
| 10+ | $4.5869 | $ 45.8690 |
| 30+ | $4.1859 | $ 125.5770 |
| 100+ | $3.7813 | $ 378.1300 |
| 500+ | $3.5950 | $ 1797.5000 |
| 1000+ | $3.5098 | $ 3509.8000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | ST STB32NM50N | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo de tipo | 1 N-channel | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 500V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 22A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 0.13Ω@10V,11A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 190W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 4V@250uA | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 9.7pF@500V | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 1973pF@500V | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 62.5nC |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.2613 | $ 5.2613 |
| 10+ | $4.5869 | $ 45.8690 |
| 30+ | $4.1859 | $ 125.5770 |
| 100+ | $3.7813 | $ 378.1300 |
| 500+ | $3.5950 | $ 1797.5000 |
| 1000+ | $3.5098 | $ 3509.8000 |
