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STMicroelectronics STB31N65M5
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STB31N65M5 |
| Código da Peça EBEE | E8500942 |
| Pacote | D2PAK |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 650V 22A 150W 5V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.5957 | $ 1.5957 |
| 10+ | $1.5620 | $ 15.6200 |
| 30+ | $1.5389 | $ 46.1670 |
| 100+ | $1.5177 | $ 151.7700 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | ST STB31N65M5 | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | 1 N-channel | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 650V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 22A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | - | |
| Dissipação de potência (Pd) | 150W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 5V@250uA | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 4.2pF@100V | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 1.865nF@100V | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 45nC@10V |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.5957 | $ 1.5957 |
| 10+ | $1.5620 | $ 15.6200 |
| 30+ | $1.5389 | $ 46.1670 |
| 100+ | $1.5177 | $ 151.7700 |
