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STMicroelectronics STB28NM60ND
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STB28NM60ND |
| Código da Peça EBEE | E87324745 |
| Pacote | D2PAK(TO-263) |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 600V 23A 190W 150mΩ@10V,11.5A 5V@250uA 1 N-channel D2PAK(TO-263) MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $9.4261 | $ 9.4261 |
| 200+ | $3.7621 | $ 752.4200 |
| 500+ | $3.6362 | $ 1818.1000 |
| 1000+ | $3.5741 | $ 3574.1000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | ST STB28NM60ND | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | 1 N-channel | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 600V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 23A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 150mΩ@10V,11.5A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 190W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 5V@250uA | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 2.09nF@100V | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 62.5nC@10V |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $9.4261 | $ 9.4261 |
| 200+ | $3.7621 | $ 752.4200 |
| 500+ | $3.6362 | $ 1818.1000 |
| 1000+ | $3.5741 | $ 3574.1000 |
