| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STB23N80K5 |
| Código da Peça EBEE | E8472539 |
| Pacote | D2PAK |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 800V 16A 280mΩ@10V,8A 190W 4V@100uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.7716 | $ 4.7716 |
| 10+ | $4.6597 | $ 46.5970 |
| 30+ | $4.5838 | $ 137.5140 |
| 100+ | $4.5097 | $ 450.9700 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | ST STB23N80K5 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo de tipo | 1 N-channel | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 800V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 16A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 280mΩ@10V,8A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 190W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 4V@100uA | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 1.5pF@100V | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 1nF@100V | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 33nC@10V |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.7716 | $ 4.7716 |
| 10+ | $4.6597 | $ 46.5970 |
| 30+ | $4.5838 | $ 137.5140 |
| 100+ | $4.5097 | $ 450.9700 |
