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STMicroelectronics STB20N65M5
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STB20N65M5 |
| Código da Peça EBEE | E8495232 |
| Pacote | D2PAK |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 650V 18A 0.16Ω@10V,9A 130W 3V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.9662 | $ 3.9662 |
| 200+ | $1.5347 | $ 306.9400 |
| 500+ | $1.4804 | $ 740.2000 |
| 1000+ | $1.4550 | $ 1455.0000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | ST STB20N65M5 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo de tipo | 1 N-channel | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 650V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 18A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 0.16Ω@10V,9A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 130W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 3V@250uA | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 3.7pF@100V | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 1.434nF@100V | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 36nC@520V |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.9662 | $ 3.9662 |
| 200+ | $1.5347 | $ 306.9400 |
| 500+ | $1.4804 | $ 740.2000 |
| 1000+ | $1.4550 | $ 1455.0000 |
