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STMicroelectronics STB18N60DM2
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STB18N60DM2 |
| Código da Peça EBEE | E82965480 |
| Pacote | D2PAK |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 600V 12A 0.295Ω@10V,6A 110W 4V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.7044 | $ 5.7044 |
| 10+ | $4.9201 | $ 49.2010 |
| 30+ | $4.4535 | $ 133.6050 |
| 100+ | $3.9823 | $ 398.2300 |
| 500+ | $3.7653 | $ 1882.6500 |
| 1000+ | $3.6676 | $ 3667.6000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | ST STB18N60DM2 | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 295mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 1.33pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 110W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 12A | |
| Ciss-Input Capacitance | 800pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 40pF | |
| Gate Charge(Qg) | 20nC@10V |
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