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STMicroelectronics STB10LN80K5
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STB10LN80K5 |
| Código da Peça EBEE | E8457512 |
| Pacote | D2PAK |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 800V 8A 630mΩ@10V,4A 110W 3V@100uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $13.7313 | $ 13.7313 |
| 10+ | $13.3675 | $ 133.6750 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | ST STB10LN80K5 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo de tipo | 1 N-channel | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 800V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 8A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 630mΩ@10V,4A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 110W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 3V@100uA | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 0.25pF | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 427pF@100V | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 15nC@640V |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $13.7313 | $ 13.7313 |
| 10+ | $13.3675 | $ 133.6750 |
