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STMicroelectronics IRF630
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | IRF630 |
| Código da Peça EBEE | E8129801 |
| Pacote | TO-220 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 200V 9A 75W 400mΩ@10V,4.5A 4V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7967 | $ 0.7967 |
| 10+ | $0.6516 | $ 6.5160 |
| 50+ | $0.5774 | $ 28.8700 |
| 100+ | $0.5065 | $ 50.6500 |
| 500+ | $0.4623 | $ 231.1500 |
| 1200+ | $0.4402 | $ 528.2400 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | ST IRF630 | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 400mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -65℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 50pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 75W | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 9A | |
| Ciss-Input Capacitance | 700pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 120pF | |
| Gate Charge(Qg) | 45nC@10V |
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| 1+ | $0.7967 | $ 0.7967 |
| 10+ | $0.6516 | $ 6.5160 |
| 50+ | $0.5774 | $ 28.8700 |
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