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SINEDEVICE SDM017G10DB
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | SDM017G10DB |
| Código da Peça EBEE | E829780690 |
| Pacote | TO-252 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 100V 40A 21W 14mΩ@10V,10A 1.9V@250uA TO-252 MOSFETs ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
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2305 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4240 | $ 0.4240 |
| 10+ | $0.3335 | $ 3.3350 |
| 30+ | $0.2942 | $ 8.8260 |
| 100+ | $0.2460 | $ 24.6000 |
| 500+ | $0.2233 | $ 111.6500 |
| 1000+ | $0.2113 | $ 211.3000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | SINEDEVICE SDM017G10DB | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 17mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 5.1pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 52W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.9V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 40A | |
| Ciss-Input Capacitance | 769pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 171pF | |
| Gate Charge(Qg) | 12.7nC@10V |
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