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| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | S1D020120G |
| Código da Peça EBEE | E822451356 |
| Pacote | TO-263-2L |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 1200V 1.4V@20A TO-263-2L SiC Diodes ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2190 | $ 1.2190 |
| 10+ | $1.0117 | $ 10.1170 |
| 30+ | $0.8988 | $ 26.9640 |
| 100+ | $0.8145 | $ 81.4500 |
| 500+ | $0.7574 | $ 378.7000 |
| 1000+ | $0.7316 | $ 731.6000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,SiC Diodes | |
| Folha de Dados | Sichainsemi S1D020120G | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 1uA@1200V | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1.2kV | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.4V@20A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 152A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2190 | $ 1.2190 |
| 10+ | $1.0117 | $ 10.1170 |
| 30+ | $0.8988 | $ 26.9640 |
| 100+ | $0.8145 | $ 81.4500 |
| 500+ | $0.7574 | $ 378.7000 |
| 1000+ | $0.7316 | $ 731.6000 |
