| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | 30H10K |
| Código da Peça EBEE | E82932013 |
| Pacote | TO-252 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 30V 100A 88W 7mΩ@5V,15A 1.5V@250uA 1 N-channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1211 | $ 0.6055 |
| 50+ | $0.0953 | $ 4.7650 |
| 150+ | $0.0824 | $ 12.3600 |
| 500+ | $0.0695 | $ 34.7500 |
| 2500+ | $0.0617 | $ 154.2500 |
| 5000+ | $0.0578 | $ 289.0000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | Shenzhen Fuman Elec 30H10K | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 7mΩ@5V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 300pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 88W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.6nF | |
| Gate Charge(Qg) | 58nC@10V |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1211 | $ 0.6055 |
| 50+ | $0.0953 | $ 4.7650 |
| 150+ | $0.0824 | $ 12.3600 |
| 500+ | $0.0695 | $ 34.7500 |
| 2500+ | $0.0617 | $ 154.2500 |
| 5000+ | $0.0578 | $ 289.0000 |
