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SemiQ GP2T080A120H


Fabricante
Código da Peça do Fabricante
GP2T080A120H
Código da Peça EBEE
E85646621
Pacote
TO-247-4
Número do Cliente
Folha de Dados
Modelos EDA
ECCN
EAR99
Descrição
1.2kV 35A 188W 100mΩ@20V,20A 2.1V@10mA 1 N-channel TO-247-4 MOSFETs ROHS
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Qualidade
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
Qtd.Preço UnitárioPreço Ext.
1+$20.5661$ 20.5661
210+$8.2059$ 1723.2390
510+$7.9324$ 4045.5240
990+$7.7964$ 7718.4360
TipoDescrição
Selecionar Tudo
CategoriaTransistores / os ossudores ,MOSFETs em
Folha de DadosSemiQ GP2T080A120H
RoHS
Temperatura de funcionamento-55℃~+175℃@(Tj)
Tipo de tipo1 N-channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)1.2kV
Corrente contínua de drenagem (Id)35A
Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id)100mΩ@20V,20A
Dissipação de potência (Pd)188W
Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id)2.1V@10mA
Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds)4pF@1000V
Capacitância de entrada (Ciss-Vds)1.377nF@1000V
Carga total do portão (Qg-Vgs)61nC@20V

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