| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | GP2T080A120H |
| Código da Peça EBEE | E85646621 |
| Pacote | TO-247-4 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 1.2kV 35A 188W 100mΩ@20V,20A 2.1V@10mA 1 N-channel TO-247-4 MOSFETs ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $20.5661 | $ 20.5661 |
| 210+ | $8.2059 | $ 1723.2390 |
| 510+ | $7.9324 | $ 4045.5240 |
| 990+ | $7.7964 | $ 7718.4360 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | SemiQ GP2T080A120H | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Tipo de tipo | 1 N-channel | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 1.2kV | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 35A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 100mΩ@20V,20A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 188W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 2.1V@10mA | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 4pF@1000V | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 1.377nF@1000V | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 61nC@20V |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $20.5661 | $ 20.5661 |
| 210+ | $8.2059 | $ 1723.2390 |
| 510+ | $7.9324 | $ 4045.5240 |
| 990+ | $7.7964 | $ 7718.4360 |
