| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | GCMS080B120S1-E1 |
| Código da Peça EBEE | E86564311 |
| Pacote | SOT-227 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 1.2kV 30A 142W 100mΩ@20V,20A 2.8V@10mA 1 N-channel SOT-227 MOSFETs ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $49.9392 | $ 49.9392 |
| 200+ | $19.9277 | $ 3985.5400 |
| 500+ | $19.2601 | $ 9630.0500 |
| 1000+ | $18.9325 | $ 18932.5000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | SemiQ GCMS080B120S1-E1 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Tipo de tipo | 1 N-channel | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 1.2kV | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 30A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 100mΩ@20V,20A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 142W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 2.8V@10mA | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 1.374nF@1000V | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 58nC@20V |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $49.9392 | $ 49.9392 |
| 200+ | $19.9277 | $ 3985.5400 |
| 500+ | $19.2601 | $ 9630.0500 |
| 1000+ | $18.9325 | $ 18932.5000 |
