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Samwin SW4N65
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | SW4N65 |
| Código da Peça EBEE | E8381525 |
| Pacote | TO-220 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 650V 4A 2.6Ω@10V,2A 23W 4.5V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2922 | $ 1.4610 |
| 50+ | $0.2294 | $ 11.4700 |
| 150+ | $0.2026 | $ 30.3900 |
| 500+ | $0.1690 | $ 84.5000 |
| 2000+ | $0.1541 | $ 308.2000 |
| 5000+ | $0.1451 | $ 725.5000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | Samwin SW4N65 | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 2.6Ω@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 8pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 23W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 758pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 69pF | |
| Gate Charge(Qg) | 18nC@10V |
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