| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | RQ3E130MNTB1 |
| Código da Peça EBEE | E8308745 |
| Pacote | HSMT-8(3x3.2) |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 30V 13A 2W 8.1mΩ@10V,13A 2.5V@1mA 1 N-Channel HSMT-8(3x3.2) MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3612 | $ 0.3612 |
| 10+ | $0.3180 | $ 3.1800 |
| 30+ | $0.2998 | $ 8.9940 |
| 100+ | $0.2763 | $ 27.6300 |
| 500+ | $0.2276 | $ 113.8000 |
| 1000+ | $0.2222 | $ 222.2000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | ROHM Semicon RQ3E130MNTB1 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo de tipo | 1 N-Channel | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 30V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 13A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 8.1mΩ@10V,13A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 2W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 2.5V@1mA | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 90pF | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 840pF@0V | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 6.6nC@10V |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3612 | $ 0.3612 |
| 10+ | $0.3180 | $ 3.1800 |
| 30+ | $0.2998 | $ 8.9940 |
| 100+ | $0.2763 | $ 27.6300 |
| 500+ | $0.2276 | $ 113.8000 |
| 1000+ | $0.2222 | $ 222.2000 |
