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ROHM Semicon RGT30NS65DGTL
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | RGT30NS65DGTL |
| Código da Peça EBEE | E82688827 |
| Pacote | TO-263 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 133W 30A 650V FS(Field Stop) TO-263 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.2789 | $ 4.2789 |
| 200+ | $1.6563 | $ 331.2600 |
| 500+ | $1.5993 | $ 799.6500 |
| 1000+ | $1.5689 | $ 1568.9000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,IGBT Transistores / Módulos | |
| Folha de Dados | ROHM Semicon RGT30NS65DGTL | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -40℃~+175℃@(Tj) | |
| Tipo de tipo | FS(Field Stop) | |
| Corrente do Colecionador (Ic) | 30A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 133W | |
| Vira-te? fora Tempo de atraso (Td(off)) | 64ns | |
| Vira-te? em Tempo de Atraso (Td(on)) | 18ns | |
| Tensão de Repartição do Emitor Colecionador (Vces) | 650V | |
| Capacitância de entrada (Cies-Vce) | - | |
| Voltagem de limiar de emissor de porta-emissor (Vge(th) ?Ic) | 2.1V@15V,15A | |
| Carga total do portão (Qg-Ic, Vge) | 32nC | |
| Tempo de Recuperação Reverso de Diodos (Trr) | 55ns | |
| Vira-te? em Switching Loss (Eon) | - |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.2789 | $ 4.2789 |
| 200+ | $1.6563 | $ 331.2600 |
| 500+ | $1.5993 | $ 799.6500 |
| 1000+ | $1.5689 | $ 1568.9000 |
