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RENESAS RBN75H65T1FPQ-A0#CB0
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | RBN75H65T1FPQ-A0#CB0 |
| Código da Peça EBEE | E83193702 |
| Pacote | TO-247A |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 312W 150A 650V TO-247A IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $13.8423 | $ 13.8423 |
| 200+ | $5.3570 | $ 1071.4000 |
| 500+ | $5.1689 | $ 2584.4500 |
| 1000+ | $5.0767 | $ 5076.7000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,IGBT Transistores / Módulos | |
| Folha de Dados | RENESAS RBN75H65T1FPQ-A0#CB0 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | - | |
| Tipo de tipo | - | |
| Corrente do Colecionador (Ic) | 150A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 312W | |
| Vira-te? fora Tempo de atraso (Td(off)) | 113ns | |
| Vira-te? em Tempo de Atraso (Td(on)) | 29ns | |
| Tensão de Repartição do Emitor Colecionador (Vces) | 650V | |
| Capacitância de entrada (Cies-Vce) | - | |
| Voltagem de limiar de emissor de porta-emissor (Vge(th) ?Ic) | 2V@15V,75A | |
| Carga total do portão (Qg-Ic, Vge) | 54nC | |
| Tempo de Recuperação Reverso de Diodos (Trr) | 72ns | |
| Vira-te? Desligar a perda (Eoff) | 1mJ | |
| Vira-te? em Switching Loss (Eon) | 1.6mJ |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $13.8423 | $ 13.8423 |
| 200+ | $5.3570 | $ 1071.4000 |
| 500+ | $5.1689 | $ 2584.4500 |
| 1000+ | $5.0767 | $ 5076.7000 |
