| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | NP100P04PDG-E1-AY |
| Código da Peça EBEE | E83281533 |
| Pacote | TO-263 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 40V 100A 3.5mΩ@10V,50A 200W 1V@1mA 1 Piece P-Channel TO-263 MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.6752 | $ 3.6752 |
| 10+ | $3.5832 | $ 35.8320 |
| 30+ | $3.5228 | $ 105.6840 |
| 100+ | $3.4610 | $ 346.1000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | RENESAS NP100P04PDG-E1-AY | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | P-Channel | |
| RDS (em inglês) | 5.1mΩ@4.5V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 1.13nF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 200W | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100A | |
| Ciss-Input Capacitance | 15.1nF | |
| Gate Charge(Qg) | 320nC@32V |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.6752 | $ 3.6752 |
| 10+ | $3.5832 | $ 35.8320 |
| 30+ | $3.5228 | $ 105.6840 |
| 100+ | $3.4610 | $ 346.1000 |
